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      HMDS真空烘箱,HMDS處理系統(tǒng)

      HMDS真空烘箱,HMDS處理系統(tǒng)

      簡要描述:

      HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。

      HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱技術(shù)參數(shù):

      電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2%

      輸入功率:2400W

      控溫范圍:室溫+10-250

      溫度分辨率:0.1

      溫度波動度:±0.5

      達(dá)到真空度:133Pa

      容積:90L

      工作室尺寸(mm):450*450*450

       

      HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱的一般工作流程:

          首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空,待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后,開始充人氮?dú)?,充到達(dá)到某低真空度后,冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程,到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時間后,停止充入HMDS藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮?dú)?,完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到100-200,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻*基硅烷基較大阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。

          尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時需做專門處理。

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